Samsung, 1 Terabit kapasiteli 9. Nesil 3D V-NAND TLC flash belleklerinin seri üretimine başladığını duyurdu. Yeni yongalar, önceki nesil 8. Nesil 3D V-NAND TLC belleklere kıyasla artırılmış yoğunluk ve enerji verimliliği sunuyor.
Yüksek Yoğunluk ve Enerji Verimliliği
Üretici, 1 Terabit kapasiteli 9. Nesil 3D V-NAND TLC belleklerinde kullanılan katman sayısını ve üretim için kullanılan işlem teknolojisini belirtmedi. Ancak Samsung, endüstrideki en küçük hücre boyutuna sahip olmaları sayesinde, 9. Nesil 3D V-NAND TLC yongalarının bit yoğunluğunun önceki nesile göre yaklaşık %50 arttığını belirtti. Ayrıca, yeni bellek yongalarında gürültü önleme teknolojisinin kullanıldığını, hücrelerin ömrünün arttığını ve akım taşıyan kanallardaki yapay deliklerin kaldırılmasının hafıza hücrelerinin düzlem alanını önemli ölçüde azalttığını belirtti.
Toggle 5.1 İnterface ve Daha Yüksek Performans
9. Nesil 3D V-NAND TLC flash bellekler, yeni nesil Toggle 5.1 arayüzü ile donatılmıştır. Bu yeni arayüz, veri giriş/çıkış hızını kontak başına 3,2 Gbps'ye kadar %33 artırarak daha hızlı bir veri transferi sağlıyor. Bununla birlikte, şirket önceki nesile göre enerji tüketimini %10 azaltmıştır.
Gelecek Planlar: 3D V-NAND 9. Nesil QLC Bellekler
İkinci yarıda Samsung, 1 Terabit kapasiteli QLC hücreleriyle 9. Nesil 3D V-NAND belleklerinin üretimine başlamayı planlıyor. Bu adım, daha yüksek kapasiteli ve ekonomik belleklere olan talebi karşılamaya yönelik olabilir.
Samsung'un yeni nesil 3D V-NAND bellekleri, verimlilik ve performans açısından dikkat çekici gelişmeler sunuyor. Bu teknolojik ilerlemeler, gelecekteki depolama çözümlerinin daha hızlı, daha güvenilir ve daha verimli olmasını sağlayabilir. Sizce, 9. Nesil 3D V-NAND bellekler, depolama endüstrisinde nasıl bir etki yaratacak? Yorumlarınızı bekliyoruz!
