Samsung, Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM adlı yeni bir bellek türü geliştiriyor. Bu bellek, yüksek bant genişliği, düşük gecikme süresi ve düşük enerji tüketimi ile öne çıkıyor. Şirket, özellikle büyük dil modelleri (LLM) tabanlı yapay zeka sistemlerinde yeni belleği kullanmayı öneriyor, ancak aynı zamanda bu tür belleğin müşteri cihazları dahil diğer iş yükleri için de uygun olduğunu belirtiyor.
LLW DRAM Teknolojisi ve Özellikleri
Samsung'un LLW DRAM'i, düşük enerji tüketimine sahip, geniş giriş/çıkış yeteneklerine, düşük gecikme süresine ve modül (veya yığın) başına 128 GB/s bant genişliğine sahip bir bellek türüdür. Bu, DDR5-8000 bellek ve 128-bit veri yolu kombinasyonu ile kıyaslanabilir. Samsung'un vurguladığı önemli özelliklerden biri, LLW DRAM'in düşük enerji tüketimi olan 1.2 pJ/bit değerine sahip olduğudur, ancak bu değerin hangi veri iletim hızında ölçüldüğü henüz açıklanmamıştır.
Samsung'un Geniş Arayüzlü Bellek Deneyimi
LLW DRAM hakkında teknik ayrıntılar henüz açıklanmamış olsa da, Samsung'un daha önce geniş arayüzlü bellekler geliştirdiği bilinmektedir, örneğin GDDR6W. Muhtemelen, Samsung, Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) teknolojisi kullanarak birkaç bu tür DRAM modülünün kapasitesini genişletiyor ve bir araya getiriyor olabilir, böylece arayüz bant genişliğini artırabilir ve enerji tüketimini azaltabilir.
Samsung'un Stratejisi: Yapay Zeka ve Yüksek Performans
Samsung, GDDR6W belleğini 2022'nin ikinci çeyreğinde standardize etti ve yapay zeka sistemleri, yüksek performanslı hesaplama hızlandırıcıları ve müşteri bilgisayarlarında kullanmayı planlıyordu. LLW DRAM'in de yapay zeka sistemlerinde, özellikle akıllı telefonlar, dizüstü bilgisayarlar ve belki de otomobil sistemleri gibi periferik hesaplama cihazlarında kullanılması muhtemeldir.
Gelecekteki Beklentiler ve Piyasa Lansmanı
Samsung, genellikle vaat ettiği teknolojilerinin piyasaya ne zaman sürüleceği konusunda bilgi vermekten kaçınır, bu nedenle LLW DRAM'in gerçek cihazlarda ne zaman kullanıma sunulacağı belirsizdir. Ancak Samsung, teknolojinin beklenen performansı hakkında ayrıntıları açıkladığından, LLW DRAM'in geliştirilmesinin büyük olasılıkla neredeyse tamamlandığını söylemek mümkündür.
