Güney Koreli teknoloji devi Samsung Electronics, yaklaşan planlarını ve yeni litografi teknolojilerine geçiş stratejilerini bu hafta yatırımcılarla paylaştı. İkinci yarıda 2023'te, şirket 3 nm ikinci nesil teknoloji işlemi (SF3) ve yüksek performanslı bileşenler için 4 nm teknoloji işlemi (SF4X) kullanarak ürünler üretmeyi planlıyor.
Yüksek Performanslı Bileşenlere Destek: 4 nm Teknoloji (SF4X)
AnandTech'e göre, Samsung, gelecek yılın ikinci yarısında, ikinci nesil 3 nm teknolojisini ve yüksek performanslı bileşenler (HPC) için dördüncü nesil 4 nm teknoloji işlemi kullanarak ürünlerin seri üretimini yapmayı taahhüt etti. Pazarın büyümesi beklenirken mobil sektörde canlanma ve yüksek performanslı hesaplama bileşenlerine olan talep artmaktadır.
3 nm teknoloji işlemi, mevcut SF3E'ye göre önemli bir güncelleme olacak. SF3E, basit bir mimariye sahip kripto madenciliği hızlandırıcıları gibi sınırlı bir ürün yelpazesinin üretiminde kullanılırken, SF3 teknoloji işlemi, Samsung temsilcilerine göre daha çeşitli bileşenlerin üretilmesine olanak tanıyacak. Bunun nedeni, gate-all-around (GAA) transistör kanalının genişliğinin değişebilmesidir.
Doğrudan bir karşılaştırma sunulmasa da, SF3E ve SF3 teknoloji işlemi arasında, aynı enerji tüketimi ve bileşen yoğunluğuyla transistörlerin geçiş hızının% 22 artırılabileceği veya frekanslar ve transistör yoğunluğu sabitken enerji tüketiminin% 34 azaltılabileceği ve ihtiyaç halinde transistör yoğunluğunu% 21 artırabileceği iddia ediliyor. Genel olarak, SF3 teknoloji işlemi, birinci nesile göre daha karmaşık yapılar oluşturmayı mümkün kılacak ve Samsung'un ikinci nesil 3 nm teknoloji işlemi ile üretilen yonga yelpazesi, birincisine kıyasla daha geniş olmalıdır.
4 nm Teknoloji Ailesinin Genişlemesi: SF4X
4 nm teknoloji ailesi de gelişmeye devam ediyor. SF4X sürümü, sunucu ortamında kullanılan merkezi işlemciler ve grafik işlemcileri üretmek için uygun olacaktır. Samsung'un teknoloji işlem ailesinde uzun bir aranın ardından yer alacak. SF4X içinde transistörlerin anahtarlama hızını% 10 artıracağı ve enerji tüketimini% 23 azaltacağı belirtiliyor. Karşılaştırma tabanı açıklanmamış olsa da, SF4 teknoloji işlemi (4LPP) ile ilgili olabileceği düşünülebilir. Bu gelişme, transistör yapısı seviyesinde optimizasyonlar ve yeni MOL mimarisinin kullanılması sayesinde elde edildi. Bu mimari, minimum voltajı 60 mV'ye düşürme, kapalı durumda akım dalgalanmalarını% 10 içinde tutma ve 1 V'den yüksek gerilimlerde bile bileşenlerin stabil çalışmasını sağlama yeteneğine sahiptir. Bu mimarinin kullanılması, SRAM tipi hafıza hücrelerinin üretiminde kar elde etme olasılığını artırır. Yeni teknoloji işlemleri genellikle hafıza hücrelerinde denenir.
Yeni Teknolojiler, Yeni Fırsatlar
Samsung'un yeni teknolojileri ve stratejileri, yüksek performanslı bileşenlerin üretimindeki sınırları zorlamayı amaçlıyor. Mobil cihazlar, veri merkezleri ve daha fazlası için daha güçlü ve enerji verimli çipler üretme yeteneği, rekabetçi teknoloji pazarında şirkete avantaj sağlayabilir. Samsung'un bu yeni teknolojilerle ne kadar başarılı olacağını ve ne tür ürünler sunacağını görmek için ilerleyen aylarda dikkatle takip edilecek.
Yatırımcılar ve teknoloji meraklıları, Samsung'un gelecekteki teknolojik gelişmelerini heyecanla bekleyebilirler. Şirketin bu yeni litografi teknolojileri, gelecekteki mobil cihazlar, veri merkezleri ve yüksek performanslı bilgisayarlar için daha güçlü ve enerji verimli çipler üretmesine olanak tanıyabilir. Samsung'un bu yeni teknolojileri nasıl kullanacağı ve gelecekte hangi ürünleri sunacağı merak konusu olmaya devam edecek.
