Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW

Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW
Samsung 850 Evo 120GB 2.5″ 540MB/500MB/s SSD Disk - MZ-N5E120BW

Samsung 850 EVO 120GB SSD Disk M.2 MZ-N5E120BW Genel Özellikleri

 

3D V-NAND nedir ve mevcut teknoloji ile farklılıkları nedir? Samsung'un özgün ve yenilikçi 3D V-NAND flash bellek mimarisi, yoğunluk, performans ve günümüz düzlemsel NAND mimarisinin dayanıklılık kısıtlamalarını ortadan kaldıran yeni bir buluştur. 3D V-NAND, hücre boyutlarını azaltıp, kendisini sabit bir yatay alana sığdırmak yerine 32 hücre katmanını birbiri üzerine dikey şekilde sıralar. Bunun sonucunda da, teknolojinin, daha az ayak izi ile daha yüksek yoğunluk ve daha iyi performans vermesi sağlanır.

Rakip tanımayan okuma/yazma hızları için TurboWrite teknolojisi ile bilişimi en iyi konuma getirin Günlük bilişim deneyiminizi Samsung'un TurboWrite teknolojisi ile en üst düzeye çıkartarak okuma/yazma performansında son noktaya erişin. 850 EVO, 840 EVO ile karşılaştırıldığında, kısmen 2 kez daha hızlı rastgele yazdırma hızı sayesinde 850 EVO yaklaşık %13* oranında artan kullanıcı memnuniyeti sağlamıştır. 850 EVO kendi sınıfında en üst düzeyde performans sergileyerek ardışık okumada 540 MB/saniye ve yazmada 540 MB/saniye hıza erişmiştir. Tüm istemci kişisel bilgisayar kullanım senaryolarında, Sıra Derinliği (Queue Dephths - QD) en iyi seviyeye çıkartılmış rastgele performans standardının keyfini sürün.
RAPID mod ile bellek depolamasını artırın Samsung 850 EVO mSATA bir hız makinesidir. En son çıkan Samsung Magician yazılımı ile kullanılmayan kişisel bilgisayar bellek alanlarını (DRAM) RAPID modu etkinleştirerek kullanabilir ve DRAM kapasitesinin %25'ine kadar önbellek depolaması yapabilirsiniz. Depolamada dikkat çekici bu artış ile veri işleme hızları ve rastgele QD RAPID mod dahilinde 2 kez daha hızlı gerçekleştirilebilir.

Dayanıklılık ve güvenirlik 3D V-NAND teknolojisi ile desteklenir 850 EVO, bir önceki nesil 840 EVO* ile karşılaştırıldığında, dayanıklılık ve güvenilirlik garantisini, Toplam Yazılan Bayt (TBW) değerini ikiye katlayarak ve sektörde görülmemiş 5 yıllık garanti ile birlikte sunmaktadır. Performansı %30 değerinde arttıran 850 EVO sürdürülebilir performansa da olanak sağlayarak en güvenilir depolama çözümlerinden biri olma özelliğini de korumaktadır. .
Enerji Verimliliği 3D V-NAND ile desteklenmekte 850 Evo, 2 mV cihaz uyku modu özelliğini 840 EVO'da sundu ve şimdi 850 EVO yazdırma işlemlerinde %25 oranında daha fazla güç verimliliği sağlayan (düzlemsel 2D NAND'dan %50 oranında daha az güç tüketen) en son 3D V-NAND teknolojisini sunmaktadır.

Değişik tipteki cihazlarda kullanılmak için esnek form faktörü Cihazınız hangi konektör tipini veya hangi fiziksel yuva boyutunu desteklerse desteklesin, çok yönlü 850 EVO ihtiyacınızı karşılayacaktır. 850 EVO M.2 SATA, M.2 PCIe tip SSD'lere benzer şekilde ince ve dar bir alan kaplamakla birlikte SATA arayüzünü destekler. Günümüzün masaüstü ve dizüstü bilgisayarlarının yanı sıra alan kısıtlamalarına tabi ultra ince tablet kişisel bilgisayarlar üzerinde de daha hızlı işlem deneyimleri yaşamak için mükemmel seçenektir.
İleri şifreleme yöntemleri ile güvenli veri 850 EVO en son donanım tabanlı tam disk şifreleme motoru ile donatılarak güçlendirilmiştir. AES 256-bit şifreleme ve TCG Opal 2.0 şifreleme verilerde herhangi bir performans bozulmasına neden olmadan verileri güven altına alır. Microsoft’un eDrive'ında kullanılan IEEE-1667 ile uyumludur, böylelikle verileriniz içinizin rahat etmesi için sürekli olarak korunmaktadır.sürekli olarak korunmaktadır.
Aşırı ısınmaya karşı Dynamic Thermal Guard ile koruma 850 EVO Dynamic Thermal Guard sürücünün en iyi koşullarda çalışması için sürekli ve otomatik olarak izleme yapar ve ideal sıcaklığı korur.
Basit ve hızlı geçiş yönetimi Tek Kurulum Yönlendiricisi ile Samsung Veri Geçişi ve Magician yazılımı aynı anda kurulur ve SDD ayarlarınız verimli veri transferi için iyileştirilerek size kolaylık sağlanır.
En iyi kaliteli bileşenler de dahil olmak üzere bütünleşik kurum içi çözümlerin keyfini çıkartın Sektörün SDD lideri olarak Samsung, özgün bir konumda tasarım, geliştirme ve üretim işlemlerini tamamıyla kendi tesislerinde gerçekleştirmektedir ve bu da iyileştirilmiş performans ve bileşen uyum hataları riskini ortadan kaldırarak aralıksız bütünleşik ve tamamen optimize edilmiş çözümlerin ortaya çıkmasına olanak sağlamaktadır.
Genel Özellikler
Uygulama Istemci Kişisel Bilgisayarlar
Kapasite 120 GB (1 GB = 1 Milyar bayt, IDEMA) * Kullanılabilir asıl kapasite daha düşük olabilir (biçimlendirme, bölümleme, işletim sistemi, uygulamalar veya diğer etkenlere bağlı olarak)
Form Factor M.2
Arabirim SATA 6 Gb/s Arayüz; SATA 3 Gb/s ve SATA 1,5 Gb/s arayüz ile uyumludur
Boyut (GxYxD) Maks. 80,15 x 22,15 x 2,38 mm
Ağırlık Maks. 6,5 g
Depolama Hafızası Samsung 32 katmanlı 3D V-NAND
Denetleyici Samsung MGX Kontrol Ünitesi
Ön Bellek Hafızası Samsung 512 MB Düşük Güç DDR3 SDRAM
Özel Aksam
TRIM Desteği TRIM Destekli
S.M.A.R.T Desteği S.M.A.R.T Destekli
GC (Garbage Collection) Otomatik Çöp Toplama Algoritması
Kriptolama Desteği AES 256 bit Şifreleme (Sınıf 0), TCG / Opal, IEEE1667 (Şifreli sürücü)
WWN Desteği Uluslararası Ad destekli
Uyku Modu Desteği Var
Performans
Sıralı Okuma 540 MB/sn'ye kadar Sıralı Okuma * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Sıralı Yazma 500 MB/sn'ye kadar Sıralı Yazma * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Rastgele Okuma (4 KB, QD32) 97 000 IOPS'a kadar Rastgele Okuma * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Rastgele Yazma (4 KB, QD32) 89 000 IOPS'a kadar Rastgele Yazma * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Rastgele Okuma (4 KB, QD1) 10 000 IOPS'a kadar Rastgele Okuma * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Rastgele Yazma (4 KB, QD1) 40 000 IOPS'a kadar Rastgele Yazma * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Ortam
Ortalama Güç Tüketimi (sistem seviyesi) *Ortalama: 2,3 Watt *Maksimum: 3,3 Watt (Seri çekim) *Asıl güç tüketimi, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Güç Tüketimi (Boşta) Maks. 50 mWatt * Asıl güç tüketimi, sistem donanımı ve yapılandırmasına bağlı olarak farklılık gösterebilir
Gerilim 5 V ± %5 İzin verilen voltaj
Güvenilirlik (MTBF) 1,5 Milyon Saat Güvenilirlik (MTBF)
Çalışma Sıcaklığı 0 - 70 °C Çalışma Sıcaklığı
Sarsıntı 1 500 G ve 0,5 ms (Yarı sinüs)
Garanti
Garanti Süresi 5 Yıl Samsung Türkiye

Samsung 850 EVO 120GB MZ-N5E120BW Özellikleri

Genel Özellikler

NAND Flash Samsung 32 katman 3D V-NAND
Trim Desteği Destekler
Darbe Dayanıklılığı 1,500 G
MTBF 1,500,000 saat
Titreşim 150 G / 0.5ms
Çalışma Sıcaklığı 0~+ 70 derece
IOPS 97 000 IOPS, 89 000 IOPS

Kapasite Ve Hız

Max Okuma Hızı / MB/s 540 MB/s
Max Yazma Hızı / MB/s 500/MB/s
Bellek Kapasitesi 120 GB

Diğer Özellikler

Garanti Süresi 5 Yıl
Karşılaştırma Listesi

Samsung 850 EVO 120GB MZ-N5E120BW

Lütfen ürünü puanlayın

Yorum Yayınlama Kriterleri

Çerezler Hakkında Bilgi Siteyi ziyaretiniz sırasında kişisel verileriniz siteyi kullanımınızı analiz etmek, reklamları kişiselleştirmek ve sosyal medya özellikleri sağlamak amacıyla çerezler aracılığıyla işlenmektedir. Daha fazla bilgi için Çerez Aydınlatma Metni’ni okuyabilirsiniz.